Abstract

La presente invenzione è un transistor a effetto di campo con un canale bidimensionale costituito da un sottile foglio di uno o più strati atomici di eterostrutture laterali basate su grafene ibridato.

Settore

Energia

Ente di Ricerca

Università di Pisa

Numero di pubblicazione

WO2013080237A1

TRL

n.a.