Transistori ad effetto di campo con canale bidimensionale realizzato con eterostrutture laterali basate su grafene ibridizzato

La presente invenzione è un transistor a effetto di campo con un canale bidimensionale costituito da un sottile foglio di uno o più strati atomici di eterostrutture laterali basate su grafene ibridato.

Settore:

Energia

Ente di Ricerca:

Università di Pisa

Numero di pubblicazione:

WO2013080237A1

Tecnologie, Sistemi, Applicazioni:

Sensori realizzabili con diverse tecnologie,
Sviluppo e caratterizzazione materiali avanzati,
Tecnologie di processo e di prodotto e attività di design evoluto

Priorità Tecnologica:

Soluzioni fotoniche, micro e nanoelettroniche